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第376章 PMOS

第376章 PMOS (第1/2页)

不是我不一次性说完,而是我每说一句话,你都要打断我发表一点儿什么意见,利诺奇卡心想。
  
  “煤油?煤油的热值是要比酒精高,啊哈,难道这就是原因?”
  
  部长同志这才有些释然。
  
  并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴,而是这些情况单独看起来都不算什么,可是全部组合到一起,就多少有一些让人惊讶了。
  
  更大的射程,更大的战斗部,同等的尺寸和重量,这说明对方一定有什么自己不知道的技术。
  
  “部长同志,我们要不要试一试把P-15的酒精换成煤油?”
  
  P-15,就是544导弹。
  
  “噢,不!基层的达瓦里氏们会抱怨的,至少现在的P-15不能换!他们已经习惯维护这种导弹了,不是么?”
  
  不得不说,作为部长,还是非常体恤一线基层的同志的。
  
  咱们正毛旗的兵,就爱维护酒精燃料!
  
  “利诺奇卡同志,如果那边还有什么新的消息,一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志,他们需要付出更多努力了!”部长同志总是觉得其中有哪里不对,但是又不知道哪里不对。
  
  ——
  
  老毛子的纠结,高振东并不知道,他正在纠结自己的事情。
  
  其实也不是纠结,只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。
  
  虽然已经选定了MOS技术,可是MOS技术也有PMOS(P沟道MOS)、NMOS(N沟道MOS)、CMOS(互补MOS)等等。
  
  这些技术的每一道工序,又有不同的选择。
  
  就好像搭积木,要搭出一个公园来,有不同的搭法,正所谓杀猪杀屁股,各有各的杀法。
  
  不过在MOS的种类上,高振东倒是没什么好纠结的,PMOS直接上就行了,作为最早的MOS技术,自然是有他的优点的。
  
  猜猜它为什么最早?简单啊!
  
  PMOS只需要五次光刻就能搞定。
  
  P区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻,并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。
  
  分别形成P区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。
  
  而且,其中掩膜需要严格对准套刻的,只有第二次栅光刻,其他时候的对准要求都不是那么高,这就让手上的技术条件有限,捉襟见肘的高振东感到很舒服。
  
  抛开封装,只是从硅片到布满成品芯片核心(DIE)的半成品,只需要12步工艺,就这,还包括准备硅片那一步工艺。
  
  甚至不想要钝化那一步的话,只要前4次光刻就足够了,与之相应的工艺也减少到了10步。
  
  这是真的简单,而且对材料的要求也不高。
  
  只需要考虑引入三种元素。
  
  ——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。
  
  其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题,只是用于沉积。
  
  某退休老头:真是太好玩儿了.jpg。
  
  而NMOS和CMOS的难度,可就比PMOS大多了,PMOS别的不说,至少做逻辑集成电路没问题,而且,这玩意10μm的制程是能做C8008的,其实做更高的制程也没问题。
  
  选定了PMOS,高振东很快就把工艺路线给确定下来了。
  
  不要最后一步钝化,4次光刻,只到金属光刻完成为止。
  
  至于为什么选这个,当然是因为简单了,而且他一开始是做比较粗的制程的,这个程度也就够了。
  
  而且,少这一步,成本也会下降。
  
  先把逻辑门电路拿出来,支撑住DJS-60D的生产,然后再去搞更好的。
  
  先解决有没有,再解决好不好。
  
  选定了这些,抄起书来,那就快了,高振东花了一个下午飞快的把书抄完,第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。
  
  一个多小时过后,吕厂长和鲁总工带着人联袂而至,就等着这一天呢。
  
  看着高振东给出的工艺设计指导文件,两人有点懵,这玩意比起原来的,怎么还变薄了?
  
  先进技术,必定复杂,一旦复杂,那资料就会很厚,大家都这么想。
  
  “高总工,这工艺是先一部分一部分的做,这里是前期我们要做的事情?”鲁总工问道。
  
  高振东一头雾水,我什么时候说过一部分一部分做了:“没有啊,这里就是全部了。”
  
  “全部?”两人大惊失色,这怎么可能?
  
  高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍,两人陷入了“我不懂,但我大受震撼”的状态之中。
  
  

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